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半导体国产化浪潮再迎突破性进展，晶盛机电多款核心产品实现重大突破
4月14日，国内半导体设备龙头晶盛机电传来一系列重大技术突破消息。公司在半导体装备领域取得显著进展，特别是在第三代半导体核心材料碳化硅领域实现重要突破，其自主研发的12英寸碳化硅衬底已成功送样验证，8英寸碳化硅衬底更是获得海内外客户的批量订单。
在半导体装备方面，晶盛机电的12英寸常压硅外延设备已实现小批量销售，关键指标达到国际先进水平。更值得骄傲的是，12英寸减压外延生长设备不仅顺利销售出货，还获得了重要客户的复购，这充分证明了其产品的市场竞争力。
在化合物半导体领域，晶盛机电的8-12英寸碳化硅外延设备及减薄设备已成功获得客户订单。公司的碳化硅氧化炉、激活炉及离子注入等设备的客户验证也进展顺利，这些设备是半导体制造不可或缺的关键装备。
在材料业务方面，晶盛机电建设的12英寸碳化硅衬底加工中试线已投入使用，并向产业链客户进行了送样验证。8英寸碳化硅衬底在全球客户验证中表现优异，成功获得海内外客户的批量订单。尤为值得一提的是，公司12英寸光学级碳化硅衬底研发取得重大突破，已实现小批量生产。
业内人士分析认为，第三代半导体材料碳化硅作为新能源汽车、光伏储能、工业电源等领域的关键材料，市场需求正在快速增长。晶盛机电此次在碳化硅衬底领域的突破，不仅彰显了其在半导体设备国产化方面的技术实力，也将为国内半导体产业链的自主可控注入强劲动力。
随着这些技术成果的不断落地，晶盛机电有望在未来的半导体设备国产替代浪潮中占据更加有利的位置，为投资者带来新的增长预期。